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USB非接讀寫器 RF-EYE系列 align=
USB非接讀寫器 RF-EYE


RD系列外置接觸式IC卡讀寫設備

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R6系列雙界面CPU卡讀寫器

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DP系列多卡座讀寫器

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X3系列全功能支付終端

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IC 卡

10明華24C01A/02/04/08/16/64系列卡

主要特點:

  • 加密存儲卡;
  • 容量分別為1k/2k/4k/8k/16k/64k bit;
  • 循環擦寫:1,000,000次;
  • 數據保存期:100年;
  • 溫度范圍:-250C-700C;
  • 結構單一,無分區,只有讀、寫操作。

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01明華93c46/93c46A

主要特點:

  • 非加密存儲卡;
  • 容量:1024 bit ;
  • 串行三線總線;
  • 循環擦寫:1,000,000次;
  • 數據保存期:100年;
  • 溫度范圍:-25oC-70oC;
  • 結構單一,沒有分區,只有讀寫兩種操作;
  • 93C46是按單字節讀寫,93C46A按雙字節進行讀寫。

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02明華1101卡

SSF1101為4Mbit的串行閃速存儲器(Flash Memory), 串行口符合SPI協議. 芯片具有四根器件識別腳, 因此在一個系統中可以擴展使用多達16片.

主要特點:

  • SPI串行數據接口,符合SPI標準
  • 4M Bit 閃存 存儲器,512頁面,每頁面1024字節
  • 內置 4 位器件地址譯碼電路,可直接并聯擴展存儲容量,最多可連接16片芯片
  • 雙1K字節的數據緩沖器,可在編程期間寫入或讀取數據, 讀取/寫入地址自動遞增
  • 高速頁面編程,典型時間 20 ms
  • 高速頁面到數據緩沖器傳輸,典型時間 100 us
  • 內置擦除/編程時序邏輯
  • 頁面擦除典型時間 10 ms
  • 器件擦除典型時間 2 s
  • 硬件寫保護
  • 最高10 MHz時鐘頻率
  • 低功耗,單電源5V工作,有低電壓2.7V~3.5V可選擇
  • 約18uA 典型休眠電流
  • CMOS 和 TTL 輸入/輸出電平兼容
  • 寬工作溫度( 商用 )
  • 內置加電復位電路
  • 在進行Buffer和主Flash之間的傳送或比較時,可操作未用的Buffer和狀態寄存器

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03明華88SC1604卡

主要特點:

  • 16Kbit帶保護邏輯EEPROM;
  • 一個公用區及四個應用區;
  • 三重密碼保護;
  • 溫度范圍:-25oC~70oC;
  • 100,000次擦寫循環;
  • 數據保存期達10年。

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04明華4406卡

主要指標

  • 104位容量
  • 最大可提供20 480計數單位
  • 3字節密碼
  • 溫度范圍:-35℃~80℃
  • 至少10,000次循環擦寫次數
  • 至少10年數據保存期

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05明華4442卡

主要指標:

  • 256字節EEPROM組織方式
  • 32位保護存儲器組成方式
  • 3字節用戶密碼,密碼錯誤計數:3次。
  • 溫度范圍:0℃~70℃
  • 至少10萬次擦寫
  • 至少10年數據保存期

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06明華4428卡

主要指標

  • 1024字節的EEPROM
  • 1024字節的寫保護區(固化數據)
  • 2字節的密碼,錯誤計數8次
  • 溫度范圍:-35℃~80℃
  • 至少100,000次擦寫循環
  • 至少10年數據保存期

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07明華AT45D041卡
功能:

  • 主存儲器容量為4,325,376bit
  • 由2048頁組成,每頁264字節
  • 兩個264字節的數據緩存器
  • 溫度范圍:-250C—700C
  • 工作頻率為10MHz(最大)
  • 工作電壓為5V土10%
  • 工作電流讀為25mA,寫為50mA
  • 數據保持100年

這種型號的IC卡為ATMEL存儲卡,是一種不具備加密功能、大容量的FLASH存儲卡,存儲容量為4M位,主存儲區有2048頁(每頁容量為264字節),同時還提供兩個獨立雙向的數據緩存區(每個數據緩存區容量為264字節),頁寫方式為264字節,頁寫入時間為7ms。存儲結構簡單,主要用于存放一些保密性要求不高、數據量極大的數據,如聲音、圖像或數據。

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08明華AT45DB041卡
功能:

  • 主存儲器容量為4,325,376bit
  • 由2048頁組成,每頁264字節
  • 兩個264字節的數據緩存器
  • 溫度范圍:-250C—700C
  • 工作頻率為10MHz(最大)
  • 工作電壓為2.7V-5.5V
  • 工作電流讀為25mA,寫為50mA
  • 數據保持100年

這種型號的IC卡為ATMEL存儲卡,是一種不具備加密功能、大容量的FLASH存儲卡,存儲容量為4M位,主存儲區有2048頁(每頁容量為264字節),同時還提供兩個獨立雙向的數據緩存區(每個數據緩存區容量為264字節),頁寫方式為264字節,頁寫入時間為7ms。存儲結構簡單,主要用于存放一些保密性要求不高、數據量極大的數據,如聲音、圖像或數據。

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